Statik va dinamik xotira qurilmalari

Dinamik operativ xotira (DRAM) xozirda ko`p sistremalar tomonidan ishlatiladi. Uning asosiy ustunligi shundan iborat ushbu turdagi xotiralarda xotira kataklari ancha zich joylashgandir. Bu narsa katta hajmdagi xotirani kichik mikrosxemaga o`rnatishga imkon beradi.  

DRAM xotira kataklari kondensatorlardan iborat bo`lib, zaryadlangan kondensatorlar 1 ga, zaryadlanmaganlari 0 ga mos keladi. Biroq bu turda ma`lumot saqlashning bir kamchiligi bor. Gap shunadaki, kondensatorlar tez o`z zaryadini yo`qotadi va shu tufayli ulardagi ma`lumot yo`qolmasligi uchun ularni tez-tez qayta zaryadlab turish lozim. Bu xolat regeneratsiya deyiladi. Aynan DRAM

xotiralarida regeneratsiya zarurligi tufayli ularda doimiy ma`lumot saqlash mumkin emas va kompyuter o`chirilganda u yerdagi bacha ma`lumot o`chib ketadi.

1995-yildan boshlab Pentium asosidagi kompyuterlarda operativ xotiralarning yangi — EDO (Extended Data Out) deb ataluvchi turi ishlatilmoqda. Bu FPM xotiralarning mukammalashgan turi bo`lib uni ba`zida Hyper Page Mode deb ham atashadi. EDO turidagi xotiralar Micron Technology firmasi tomonidan ishlab chiqilgan va patentlashtirilgandir. FPM turidagi xotiralardan farqli ravishda,

EDO turidagi xotiralarda xotira kontrolleri adres ustunini o`chirayotganida mikrosxemadagi ma`lumotlarni chiqarish drayverlari o`chmaydi. Bu esa oldingi va keyingi sikllarni ulashni ta`minlaydi va har bir siklda taxminan 10 ns vaqtni tejashga yordam beradi. Shunday qilib EDO turidagi xotiralarda kontroller adres ustunini topgunicha ma`lumotlar joriy adresdan o`qilaveradi. Bu xuddi navbatlashni qo`llash uchun bankdan foydalangandek gapdir, biroq bunda ikkita bank talab qilinmaydi.

Yuqorida tusuntirilgan x-y-y-y sxema bo`yicha tusuntiradigan bo`lsak EDO xotiralari 5-2-2-2 sxema bo`yicha, FPM xotiralar esa 5-3-3-3 sxema bo`yicha ishlaydi, ya`ni EDO xotiralarida sikllar soni 11 ta FPM da 14 tadir. Maxsus testlar ishlatilganda ushbu texnologiya tufayli tezkorlik 22% ga ortdi, biroq real sharoitda EDO xotiralari tezkorlikni taxminan 5% ga orttiradi. Bu ko`rsatkich ancha kam

bo`lib ko`rinsa ham ularning afzalligi EDO xotiralarida FPM turidagi xotiralar bilan bir xil mikrosxemalar ishlatiladi. Ularning narxi ham bir xil.

SDRAM (Synchronous DRAM) — bu DRAM xotiralarining turi bo`lib, uning ishi shina bilan moslashtiriladi (sinxronlashtiriladi). SDRAM yuqori tezlikli sinxronizatsiya interfeysini ishlatuvchi ma`lumotlarni yuqori tezlikli paketlarda uzatadi. SDRAM asinxron DRAM uchun shart bo`lgan ko`pgina kutislarni chetlab o`tishga imkon beradi, chunki unda ishlatiladigan signallar sistemali platalarning takt generatori bilan moslashtiriladi.

DRAM xotiralarining samaradorligi FPM yoki EDO xotiralarining tezligidan ancha katta. SDRAM — dinamik xotiraning turi bo`lgani uchun uning boshlang`ich sikli FPM va EDO larniki bilan bir xil, lekin umumiy sikllar vaqti. ancha qisqa. x-y-y-y sxema bo`yicha SDRAM 5-1-1-1 sxemada ishlaydi, yani

to`rtta o`qish amali sistemali shinaning 8 siklida tugaydi.  

Bundan tashqari SDRAM 100 MGts va undan yuqori chastotalarda ishlaydi. SDRAM xotiralari DIMM modullari sifatida yetkaziladi va uning tezkorligi nanosekundlarda emas balki megagertslarda o`lchanadi.

RDRAM yoki Rambus DRAM qolgan xotira turlaridan tubdan farq qiluvchi xotira turi bo`lib, u 1999-yildan boshlab yuqori tezlikli kompyuterlada ishlatiladi. Oddiy turdagi xotiralar (FPM/EDO va SDRAM) odatda keng kanalli sistema deb ataladi. Xotira kanali kengligi protsessorning ma`lumotlar shinasi kengligiga teng.

SDRAM xotiralarining DIMM ko`rinishidagi maksimal samaradorligi 800 Mbayt/s dir. RDRAM mikrosxemalari o`tkazish qobiliyatini oshiradi — ularda ikkilangan ma`lumotlar shinasi ishlatilgan, chastota 800 MGts gacha oshirilgan, o`tkazish qobiliyati esa 1,6 Gbayt/s ni tashkil etadi. Samaradorlikni oshirish uchun ikki va to`rt kanalli RDRAM lardan foydalanish mumkin, bunda ma`lumotlari uzatish tezligi mos ravishda 3,2 yoki 6,4 Gbayt/s ni tashkil etadi